【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于二维材料制备，具体涉及一种采用硫族元素作为生长添加剂辅助生长的化学气相沉积（cvd）方法，用于制备超薄过渡金属氧化物（tmos）。
技术介绍
1、过渡金属氧化物（transition metal oxides，简称tmos）种类众多、性能优异，在自然界储量十分丰富，具有成本低、制造方便、环境稳定性高等优点，广泛应用于物理涂层、光电、信息、能源等领域。与常规块体的tmos相比，超薄的tmos不但继承了前者的性质，而且由于量子约束效应和界面相互作用，它的能带结构及相关物理性质可以通过调整厚度进行调节，使其具有更加显著的光学和电子特性、更丰富的物理化学性质（透光率，载流子迁移率，高效电介质，压电性能，超导转变温度和磁矩等性质）以及一些前所未有的应用。
2、目前超薄tmos的制备方法包括剥离、固溶法、液态金属法、气相沉积等。这些方法制备的tmos质量不够高、尺寸不够大，厚度不够薄，而且制备过程复杂、成本高，基于此，我们通过一种采用生长添加剂辅助生长的化学气相沉积方法，可以获得超薄的tmos单晶材料，通过调整生长添加剂的...
【技术保护点】
1.一种超薄过渡金属氧化物TMOs的制备方法，采用CVD法，其特征在于：在生长源前方加入硫族元素作为生长添加剂。
2.根据权利要求1所述的一种超薄过渡金属氧化物TMOs的制备方法，其特征在于：所述的生长添加剂包括硫族元素单质：S、Se或Te。
3.根据权利要求1所述的一种超薄过渡金属氧化物TMOs的制备方法，其特征在于：所述的超薄TMOs包括：MoO3、WO3、MoO2、WO2。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种超薄过渡金属氧化物TMOs的制备方法，其特征在于：所述的生长源为过渡金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的...
【技术特征摘要】
1.一种超薄过渡金属氧化物tmos的制备方法，采用cvd法，其特征在于：在生长源前方加入硫族元素作为生长添加剂。
2.根据权利要求1所述的一种超薄过渡金属氧化物tmos的制备方法，其特征在于：所述的生长添加剂包括硫族元素单质：s、se或te。
3.根据权利要求1所述的一种超薄过渡金属氧化物tmos的制备方法，其特征在于：所述的超薄tmos包括：moo3、wo3、moo2、wo2。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种超薄过渡金属氧化物tmos的制备方法，其特征在于：所述的生长源为过渡金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的一种超薄过渡金属氧化物tmos的制备方法，其特征在于：衬底为金属或非金属衬底。
6.根据权利要求5所述的一种超薄过渡金属氧化物tmos的制备方法，其特征在于：所述的衬底为金、硅片、蓝宝石、云母、石英。
【专利技术属性】
技术研发人员：辛星，包有喆，陈佳美，辛巍，丁梦凡，徐海阳，
申请(专利权)人：东北师范大学，
类型：发明
国别省市：
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