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本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。其中，半导体结构的制备方法包括：提供基底，基底包括第一导电层以及介质层，介质层位于第一导电层上，且介质层内形成暴露第一导电层的互连通孔；于互连通孔内壁以及介质层上方形成第一扩散阻挡材料层；于介质层上方的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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