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本发明公开了一种集成低能等离子体氢浸镀层的离子注入ｎ＋－ｏｎ－ｐ型碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）红外中波（ｍｉｄ－ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）光伏探测芯片，它涉及光电探测器件技术。本发明采用在ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料表层集成一低能等离子体氢浸镀层的离子注入ｎ...
该专利属于中国科学院上海技术物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海技术物理研究所授权不得商用。

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