温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种氮化镓基半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱、p型半导体和二维空穴气层；其中，所述二维空穴气层位于所述量子阱与所述p型半导体层之间；所述二维空穴气层的电子有效质量分布符合预设的第一三元二次函数曲线分布；所...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。