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本发明提供了一种改善开关特性的碳化硅浮动结的二极管及其制备方法，在二极管内部通过引入过渡区P沟道，增大少数载流子的抽取速度，降低耗尽区消失时间，降低过充电压，解决关断后再开启时的开启速度问题，使实现高频高耐压的碳化硅浮动结二极管成为可能，可...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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