温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

ZnIn2S4/NiFeOOH‑S薄膜电极，其制备方法包括：将InCl3、ZnCl2、硫脲溶解在乙二醇水溶液中形成反应溶液；将导电基底放置在反应溶液中进行密闭溶剂热反应以在基底的导电面上形成ZnIn2S4薄膜；将形成有ZnIn2S4薄膜的基...
该专利属于重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。