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本发明公开了一种集成肖特基结构的SGT‑MOS器件及其制备方法，该器件包括由下至上依次设置的背面金属、衬底、两层外延层、SiO<subgt;2</subgt;氧化层、正面金属，两层外延层分别为第一外延层和第二外延层，器件还包括屏...
该专利属于张家港意发功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港意发功率半导体有限公司授权不得商用。

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