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本发明公开一种钝化接触太阳能电池制备方法及钝化接触太阳能电池。该制备方法包括:在N型硅基体第一主表面顺序层叠形成第一P型轻掺杂层、正面隧穿氧化层及P型重掺杂多晶硅层;通过激光刻蚀去除N型硅基体第一主表面的非金属化区域的第一P型轻掺杂层、正面...该专利属于晶澳(扬州)太阳能科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过晶澳(扬州)太阳能科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种钝化接触太阳能电池制备方法及钝化接触太阳能电池。该制备方法包括:在N型硅基体第一主表面顺序层叠形成第一P型轻掺杂层、正面隧穿氧化层及P型重掺杂多晶硅层;通过激光刻蚀去除N型硅基体第一主表面的非金属化区域的第一P型轻掺杂层、正面...