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本发明公开了一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器及制备方法，共射极放大器包括：自下而上依次包括衬底层、第一N型掺杂GaN层、Fe掺杂GaN层、AlGaN集电极势垒层、GaN基区、AlN发射极势垒层、第二N型掺杂GaN层；衬...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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