基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器及制备方法，共射极放大器包括：自下而上依次包括衬底层、第一N型掺杂GaN层、Fe掺杂GaN层、AlGaN集电极势垒层、GaN基区、AlN发射极势垒层、第二N型掺杂GaN层；衬底层、第一N型掺杂GaN层、Fe掺杂GaN层和AlGaN集电极势垒层长度相等，GaN基区和AlN发射极势垒层长度相等；AlGaN集电极势垒层长度大于AlN发射极势垒层长度，AlN发射极势垒层长度大于第二N型掺杂GaN层长度；发射极、基极、集电极分别位于第一N型掺杂GaN层、AlN发射极势垒层、AlGaN集电极势垒层上。本发明专利技术共射极放大器集成度高、成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器及其制备方法。

技术介绍

1、近年来第三代半导体材料氮化镓因其具有禁带宽度大，击穿电压大，电子迁移率高，热导率好等优点得到全世界的广泛关注。

2、het(hot electron transistor，热电子晶体管)是一种具有准垂直结构的单极型半导体器件，利用其基极厚度小于电子平均自由程来实现载流子的近弹道输运，从而实现高ft(截止频率)和fmax(最大振荡频率)，拥有面向thz(太赫兹)放大器应用的潜力。为了获得更高性能的共射极放大器，通常会在集电极一段串联一个大电阻。

3、但，该串联的大电阻独立于共射极放大器外，与共射极放大器为两个独立单元，这样会占用更多的芯片面积，导致集成度过低、成本过高。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供了一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器及其制备方法。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：p>

2、第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器，其特征在于，所述Fe掺杂GaN层的厚度为9nm～11nm，且Fe掺杂浓度为4.5×1017cm-3～5.5×1017cm-3。

3.根据权利要求1所述的基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器，其特征在于，所述衬底层的厚度为0.75mm～0.85mm；所述第一N型掺杂GaN层的厚度为45nm～55nm且掺杂浓度浓度为4.5×1018cm-3～5.5×1018cm-3；所述AlGaN集电极势垒层的厚度为...

【技术特征摘要】

1.一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器，其特征在于，所述fe掺杂gan层的厚度为9nm～11nm，且fe掺杂浓度为4.5×1017cm-3～5.5×1017cm-3。

3.根据权利要求1所述的基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器，其特征在于，所述衬底层的厚度为0.75mm～0.85mm；所述第一n型掺杂gan层的厚度为45nm～55nm且掺杂浓度浓度为4.5×1018cm-3～5.5×1018cm-3；所述algan集电极势垒层的厚度为90nm～110nm；所述gan基区的厚度为4.5nm～5.5nm；所述aln发射极势垒层的厚度为1.5nm～2.5nm；所述第二n型掺杂gan层的厚度为9.5nm～10.5nm且掺杂浓度为4.5×1018cm-3～5.5×1018cm-3。

4.一种基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1～3任一所述基于氮化镓热电子晶体管与大电阻一体化的共射极放大器；所述制备方法包括：

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【专利技术属性】
技术研发人员：张濛，于谦，杨凌，董洁，武玫，宓珉瀚，芦浩，马晓华，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：