温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明属于氮化铝单晶生长领域，涉及一种PVT法生长AlN过程中实现双位生长的方法。通过在坩埚顶部和料面上同时设置籽晶，实现了在单个坩埚内同时生长双晶锭的技术突破，提高了晶体的制备效率；能够降低坩埚顶部籽晶二表面的过饱和度，同时由于料面上自发...
该专利属于山东大学所有，仅供学习研究参考，未经过山东大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。