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本发明涉及铌酸锂（ＬｉＮｂＯ３）晶体化学机械抛光（ＣＭＰ）后，铌酸锂晶体表面的应力控制方法。本发明铌酸锂晶体ＣＭＰ后应力控制方法，ＣＭＰ刚刚完成后清洗时，采用逐渐慢慢加大水抛清洗液流量，充分释放铌酸锂晶体表面的热应力，达到铌酸锂晶体内外热应...
该专利属于河北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过河北工业大学授权不得商用。

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