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本发明公开了一种可完全消除衬底辅助耗尽效应的ＳＯＩ超结ＬＤＭＯＳ结构，该结构包括底层硅膜，导电层，埋氧层，有源区，沟槽隔离结构，电极；底层硅膜位于该结构的最底层；导电层位于底层硅膜的上表面，包括电荷引导层和生长于电荷引导层的上、下表面的阻挡...该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司授权不得商用。