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本发明公开了一种GaN基半导体发光芯片，从下至上依次包括衬底、n型半导体、量子阱和p型半导体，所述量子阱与p型半导体之间具有至少一电子溢流抑制层；所述电子溢流抑制层的热导率a大于等于p型半导体的热导率b；电子溢流抑制层的击穿场强c小于等于p...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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