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本公开提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：衬底，包括p阱；第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一高压(HV)n阱，位于p阱中；第一源极触点，位于衬底上；第一漏极触点，位于衬底上；以及第一栅极触点，位于衬底上且位于第一...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

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