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本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括衬底、多条位线、绝缘层以及多个插塞。衬底包括多个有源区。多条位线相互分隔地设置在衬底上。绝缘层覆盖在衬底的顶面上。多个插塞分别设置在绝缘层的顶面上且与有源区隔离，其中，在第一方向上插塞与位线交替设置，...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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