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本发明提供了一种半导体集成电路及其制备方法。该制备方法中，通过执行第一离子注入工艺以在BCD器件区内形成第一掺杂区，同时还利用该第一离子注入工艺在栅极沟槽的下方形成第二掺杂区，通过在栅极沟槽的下方设置第二掺杂区以实现对衬底内的电场调制作用，...
该专利属于芯联集成电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联集成电路制造股份有限公司授权不得商用。

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