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本公开提供一种端面耦合器件，包括：衬底；位于所述衬底上的端面耦合结构；至少部分覆盖所述端面耦合结构的包覆层；其中，所述端面耦合结构中至少包括：光斑放大波导和过渡波导；所述光斑放大波导，由锥形波导队列组成；所述锥形波导队列是由多个锥形波导构成...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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