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本发明公开了一种HVPE外延氮化铝厚膜的生长方法，属于半导体技术领域。该方法采用特定结构的石英舟盛放金属铝，进入石英舟的反应气体可以与金属铝源充分接触，将氯化氢与金属铝的反应比例提高到80％以上。设计多路分隔的喷嘴结构，将金属源和氨气物理上...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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