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一种半导体器件及其形成方法，结构包括：第一基底，所述第一基底具有相对的第一面与第二面；接合于所述第一面的晶体管，所述晶体管包括：阻挡层、集电层、基层以及发射层，所述集电层具有相对的第一侧与第二侧，所述基层与发射层位于所述第一侧，所述阻挡层位...
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