温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种用于形成半导体器件的方法和设备。所述方法包括热处理在其上形成有一个或多个硅纳米片的基板。热处理所述基板包括将所述基板定位在第一处理腔室的处理空间中，所述基板具有在其上形成的一个或多个硅纳米片。热处理所述基板进一步包括将所述基板加热...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。