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本发明涉及半导体结构和形成方法。提供一种具有低于４．２的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对ＵＶ和／或Ｅ束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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