下载Nand Falsh LLR分布的模拟方法、设备及存储介质的技术资料

文档序号:40468376

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本发明涉及数据处理领域,公开了一种Nand Falsh LLR分布的模拟方法、设备及存储介质。该方法包括:生成待训练的深度学习模型;将预设环境数据以及预设阈值电压分布数据集作为训练数据,对所述深度学习模型执行模型训练操作,得到vth偏移预测...
该专利属于深圳市硅格半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市硅格半导体有限公司授权不得商用。

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