Nand Falsh LLR分布的模拟方法、设备及存储介质技术

技术编号:40468376 阅读:20 留言:0更新日期:2024-02-22 23:23
本发明专利技术涉及数据处理领域,公开了一种Nand Falsh LLR分布的模拟方法、设备及存储介质。该方法包括:生成待训练的深度学习模型;将预设环境数据以及预设阈值电压分布数据集作为训练数据,对所述深度学习模型执行模型训练操作,得到vth偏移预测模型;检测到Nand Falsh的阈值电压分布数据时,调用预先训练的vth偏移预测模型对所述阈值电压分布数据执行多条件模拟预测操作,得到多组模拟数据;在所述模型数据中获取所述Nand Falsh对应的Nand Falsh LLR分布。在本发明专利技术实施例中,降低了Nand Falsh LLR分布的模拟成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数据处理领域,尤其涉及一种nand falsh llr分布的模拟方法、设备及存储介质。


技术介绍

1、llr(log-likelihood ratio)是用于误码率估计的重要指标,它反映了接收到的信号与各个可能的符号值之间的相似度。通过获取nand flash对应的llr分布,可以更准确地估计误码率,从而优化通信系统的性能。

2、对于llr分布的模拟,可以使用monte carlo方法,monte carlo方法是一种基于随机抽样的数值计算方法,生成符合原假设和备择假设的两个概率分布,例如伯努利分布或正态分布等;对于每个样本,根据原假设或备择假设的概率分布生成一个观测值;计算每个样本的llr值,即两个概率分布的对数似然比;重复多次上述步骤,得到llr分布的近似分布。该方法需要大量的计算资源和时间,模拟成本高。


技术实现思路

1、本专利技术的主要目的在于解nand falsh llr分布模拟成本高的技术问题。

2、本专利技术第一方面提供了一种nand falsh llr分布本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Nand Falsh LLR分布的模拟方法,其特征在于,所述Nand Falsh LLR分布的模拟方法包括:

2.根据权利要求1所述的Nand Falsh LLR分布的模拟方法,其特征在于,所述检测到Nand Falsh的阈值电压分布数据时,调用预先训练的vth偏移预测模型对所述阈值电压分布数据执行多条件模拟预测操作,得到多组模拟数据的步骤包括:

3.根据权利要求1-2任一项所述的Nand Falsh LLR分布的模拟方法,其特征在于,所述将预设环境数据以及样本Nand Falsh对应的阈值电压分布数据集作为训练数据,对所述深度学习模型执行模型训练操作,得...

【技术特征摘要】

1.一种nand falsh llr分布的模拟方法,其特征在于,所述nand falsh llr分布的模拟方法包括:

2.根据权利要求1所述的nand falsh llr分布的模拟方法,其特征在于,所述检测到nand falsh的阈值电压分布数据时,调用预先训练的vth偏移预测模型对所述阈值电压分布数据执行多条件模拟预测操作,得到多组模拟数据的步骤包括:

3.根据权利要求1-2任一项所述的nand falsh llr分布的模拟方法,其特征在于,所述将预设环境数据以及样本nand falsh对应的阈值电压分布数据集作为训练数据,对所述深度学习模型执行模型训练操作,得到vth偏移预测模型的步骤包括:

4.根据权利要求1所述的nand falsh llr分布的模拟方法,其特征在于,所述在所述模型数据中获取所述nand falsh对应的nand falsh llr分布的步骤之后,所述方法还包括:

5.根据权利要求4所述的nand falsh llr分布的模拟方法,其特征在于,所述根预设的llr选择标准,在所述解析结果中获取所述nand falsh对应的最优nand falsh llr分布的步骤之后,所述方法还包括:...

【专利技术属性】
技术研发人员:潘治锟吴大畏李晓强
申请(专利权)人:深圳市硅格半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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