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本发明公开了一种GaN器件的制备方法及GaN器件，制备方法包括：在衬底结构上形成氮化镓层；在所述氮化镓层的一侧形成AlGaN层；对所述AlGaN层进行清洗处理；通过氧气对清洗处理后的所述AlGaN层的表面进行等离子体处理。本发明可以降低二维...
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