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埋栅结构石墨烯晶体管的制备工艺制造技术
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文档序号:40436182
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本发明涉及埋栅结构石墨烯晶体管的制备工艺,以单晶硅为衬底,在上面高温氧化生成1微米厚的二氧化硅,氧化温度为1100℃,氧化时间为干氧30分钟,湿氧140分钟,干氧30分钟,气体流量为干氧1L/min,湿氧0.4L/min,在样品表面做一次光...
该专利属于无锡源康利科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过无锡源康利科技有限公司授权不得商用。
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