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本公开实施例针对包括位于半导体衬底上面的加热器结构的集成芯片。相变元件(PCE)设置在加热器结构上方。热阻挡结构设置在加热器结构和PCE之间。PCE的外侧壁在热阻挡结构的外侧壁之间横向间隔开。本申请的实施例还涉及形成集成芯片的方法。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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