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本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法，包括以下步骤：将装有β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;晶体废料的铱金坩埚置于气氛炉中抽真空，通入氢气，气...
该专利属于青岛科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛科技大学授权不得商用。

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