一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法技术

本发明专利技术属于晶体生长技术领域，涉及一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法，包括以下步骤：将装有β‑Ga<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;晶体废料的铱金坩埚置于气氛炉中抽真空，通入氢气，气氛炉升温至800～1000℃，恒温48～72h，然后缓慢降至室温；将铱金坩埚置于体积比为水：硫酸：磷酸＝4～6：1～2：3～5的酸性液体中，加热至酸性液体沸腾后，继续沸煮3～4h；然后降温至室温，对铱金坩埚进行冲洗，氮气吹干后，将铱金坩埚真空塑封，备用。采用本发明专利技术的清理方法，在整体铱金坩埚的清理过程中未使用任何敲、凿、撬、磨等粗糙的机械手段，高效完成清理作业的同时，最大程度的保护了铱金坩埚，减少了铱金坩埚的损耗，从而降低晶体生长成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶体生长，涉及铱金坩埚的清理，具体涉及一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法。

技术介绍

1、β相氧化镓(β-ga2o3)作为超宽禁带半导体材料代表之一，因其大的禁带宽度、高的击穿场强、高的器件优值及短的紫外截止吸收边，使其在大电压、高电流功率器件及日盲探测方面具有重要应用。鉴于其优异的物化性质，高质量、大尺寸β-ga2o3晶体生长成为科学研究及产业化应用的关键。在众多熔体法生长β-ga2o3体块晶体的方法中，导模法和提拉法技术优势突出，产业化势头明显。但是，采用以上两种方法生长β-ga2o3晶体时都需要使用贵金属铱金坩埚，目前国际市场铱金粉料价格已超过1000元/克，一套用于2英寸β-ga2o3体块晶体生长的铱金用量在2～2.5kg左右，即至少需要200～250万元人民币，价格非常昂贵。因此，如何进行铱金坩埚的清理和维护，降低铱金损耗，就显得尤为重要。

2、目前，通过动态含氧气氛调控，在晶体生长过程中的铱金损耗已得到有效控制；然而，晶体生长结束后铱金坩埚的清理和清洗并没有相关研究和报道。

3、鉴于氧化镓晶体多次生长过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述步骤(1)中，气氛炉为氧化锆或者氧化铝材质气氛炉。

3.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述步骤(2)中，氢气流量为150sccm，持续通入时间为1h。

4.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述步骤(3)中，升温速率为5℃/min，升温至900℃保持72h；降温速率为2℃/min。

5.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述步骤(4)中，将铱金坩埚置于石英烧杯中，向石英烧杯中加入酸性液体，其液...

【技术特征摘要】

1.一种氧化镓晶体生长用铱金坩埚的清理方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述步骤(1)中，气氛炉为氧化锆或者氧化铝材质气氛炉。

3.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述步骤(2)中，氢气流量为150sccm，持续通入时间为1h。

4.根据权利要求1所述的清理方法，其特征在于，所述步骤(3)中，升温速率为5℃/min，升温至900℃保持72h；降温速率为2℃/min。

5.根据权利要求1所述的清理方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：付博，于志鸿，王睿，王海婷，张栩朝，汪倩文，高树静，巩敦卫，
申请(专利权)人：青岛科技大学，
类型：发明
国别省市：