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本申请涉及一种芯片制备方法，包括步骤：将盖板层与所述器件层键合；对所述器件层进行刻蚀，以在所述器件层上形成弹性结构；对所述盖板层进行刻蚀，以将部分所述第一绝缘层去除，使得所述盖板层的盖板晶圆部分暴露；将所述器件层背离所述盖板层的一侧与衬底层...
该专利属于上海矽睿科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海矽睿科技股份有限公司授权不得商用。

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