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本发明公开了一种逆导型IGBT器件及其制备方法，包括：衬底漂移区；位于所述衬底漂移区上方的元胞区和FRD的阳极区，所述FRD的阳极区位于所述元胞区的栅槽的延长线上；与所述元胞区相邻的第一终端区；与所述FRD的阳极区相邻的第二终端区；位于所述...
该专利属于四川奥库科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川奥库科技有限公司授权不得商用。

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