【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体的说，是一种逆导型igbt器件及其制备方法。
技术介绍
1、在常规场截止型igbt中，由于集电极p+掺杂的存在，不具备反向导通的能力。逆导型绝缘栅双极型晶体管(reverse conducting insulated gate bipolar transistor，rc-igbt)是一种兼备igbt功能和反向(逆向)导通功能的器件。逆导型绝缘栅双极型晶体管能够提高集成度、减小寄身电感、降低封装成本。传统的制成rc-igbt的一种方法是在背面槽栅中采用重掺杂的p型多晶硅，利用p型多晶硅与n型漂移区的内建电势来耗尽两个背面槽栅之间的n型漂移区，从而达到消除折回现象的目的；另一种方法是通过p型和n型材料间隔排列的方式制成rc-igbt，通过p型和n型的面积比例调节来消除n型材料带来的副作用,这种方法的缺点是有集电极电流和集电极发射极电压有折回现象；还有一种方法是将igbt和快恢复二极管frd做在同一颗晶圆上，igbt和frd之间完全独立，这样做的方法使得芯片面积比较大，成本比较高。
2、以上方法制作的逆导型igbt，均无法实现正面快速散热、无法提高igbt的短路能力，以及无法增大frd的电流密度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种逆导型igbt器件及其制备方法，用于解决现有技术中制作的逆导型igbt，均无法实现正面快速散热、无法提高igbt的短路能力，以及无法增大frd的电流密度的问题。
2、本专利技术通过下述技术方案解决上
3、一种逆导型igbt器件，包括：
4、衬底漂移区；
5、位于所述衬底漂移区上方的元胞区和frd的阳极区，所述frd的阳极区位于所述元胞区的栅槽的延长线上；
6、与所述元胞区相邻的第一终端区；
7、与所述frd的阳极区相邻的第二终端区；
8、位于所述衬底漂移区下方的缓冲区；
9、位于所述缓冲区下方的p型注入区和n型注入区。
10、本专利技术提出了一种全新的igbt结构，在有源区的元胞区的栅槽延长线上制作frd的p区，在表面区域的温度由于采用栅槽的延长线，使得晶圆正面的温度能够快速通过栅槽间的硅得以迅速散热，能够提高igbt的短路能力，改善了igbt的正面散热特性。且由于在frd的p区没有栅槽，frd的电流密度可以做大。
11、进一步地，所述元胞区还包括：
12、与所述栅槽相邻的p+区；
13、与所述p+区相邻的n+区；
14、相邻两个p+区之间、相邻两个n+区之间设置有接触孔。
15、一种逆导型igbt器件的制备方法，包括：
16、步骤101，在n型衬底上定义有源区，在n型衬底形成igbt器件的源区，生长场区氧化层；
17、步骤102，对衬底进行退火处理，在退火过程中源区表面形成一层氧化物；
18、步骤103，根据有源区元胞和终端结构设计，定义出p型环；
19、步骤104，形成igbt器件的栅极结构：在预设位置刻蚀形成沟槽，于沟槽的侧壁形成氧化层并在氧化层中形成多晶硅栅极；
20、步骤105，在p型阱区的预设位置注入p型掺杂离子并扩散形成p型阱区；
21、步骤106，在p型frd阳极的预设位置注入p型掺杂离子并扩散形成frd的阳极区；
22、步骤107，在n型发射区的预设位置内注入n型掺杂离子并扩散形成n型发射区；
23、步骤108，在接触孔的预设位置制造接触孔，并在接触孔内形成金属电极；
24、步骤109，在正面金属的预设位置制造正面金属；
25、步骤110，在正面形成钝化层和保护层；
26、步骤111，进行背面减薄；
27、步骤112，在减薄后的n型衬底的背面注入n型掺杂离子，形成n型缓冲层；
28、步骤113，在背面注入p型掺杂离子，形成p集电极；
29、步骤114，在背面预设位置内注入n型掺杂离子并扩散形成n型集电极；
30、步骤115，执行背面金属膜工艺。
31、本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
32、本专利技术改善逆导igbt的正面散热特性；提升igbt的短路能力；提升frd的电流密度。
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1.一种逆导型IGBT器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种逆导型IGBT器件，其特征在于，所述元胞区还包括：
3.一种逆导型IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：
【技术特征摘要】
1.一种逆导型igbt器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种逆导型igbt器...
【专利技术属性】
技术研发人员：张镜华，郝知行，杨蜀湘，王宇，
申请(专利权)人：四川奥库科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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