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本发明涉及一种减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法和氮吸附装置。减少半导体外延中氮残留的记忆效应的方法包括如下步骤：步骤一、提供生长腔室、若干半导体衬底和氮吸附装置；步骤二、半导体衬底在所述生长腔室内进行外延生长，并采用氮气作为掺杂源进行...
该专利属于希科半导体科技（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过希科半导体科技（苏州）有限公司授权不得商用。

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