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本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型，包括：NMOS管M1，所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极，所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极；NPN三极管QN1，所述NPN三极管QN1的发射极连接所...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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