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本技术涉及一种发光二极管结构器件。本技术包括衬底；缓冲层，设置于衬底表面；第一半导体层，设置于缓冲层表面，第一半导体层设置有第一台阶和第二台阶，第一台阶和第二台阶共同包括共用高台阶面且在共用高台阶面上依次设置活性层、第二半导体层和电流扩散层...
该专利属于普瑞（无锡）研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过普瑞（无锡）研发有限公司授权不得商用。

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