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本发明提供了一种标定InGaxAs/InAsSby超晶格组分的方法，通过生长两套周期不同的InGaxAs/InAsSby超晶格和两套周期不同的InGaAs/InAsSb/InAs超晶格得到InAs和GaAs的生长速率以及元素组分。其中，上述...
该专利属于苏州焜原光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州焜原光电有限公司授权不得商用。

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