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本申请公开了一种沟槽型半导体功率器件及版图，沟槽型半导体功率器件包括：圆环形的元胞区；第一终端区，位于所述元胞区内部，所述第一终端区为圆形，所述元胞区围绕所述第一终端区；第二终端区，位于所述元胞区外侧，所述第二终端区为圆环形，围绕所述元胞区...
该专利属于杭州芯迈半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州芯迈半导体技术有限公司授权不得商用。

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