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本发明涉及一种JFET与MOSFET兼容的半导体器件结构，在N型衬底（1）上设置P+埋层（3）及N外延（2），一侧N外延中设置P阱（4）、P+隔离区（5）和N型NLDD轻掺杂区（13），一个轻掺杂区设有N型源区（17）、另一个设有N型漏区（...
该专利属于华东光电集成器件研究所所有，仅供学习研究参考，未经过华东光电集成器件研究所授权不得商用。

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