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一种半导体结构的形成方法以及SRAM存储器的形成方法,其中,半导体结构的形成方法包括:提供衬底;在衬底上形成第一图形材料层;在第一图形材料层上形成第一侧墙、牺牲结构,牺牲结构的尺寸大于第一侧墙的尺寸;对第一图形材料层注入掺杂离子,形成第一侧...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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