温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法，通过设置所述有源层包括通过隧穿结串联的若干个量子阱结构，所述隧穿结包括沿第一方向依次堆叠的P型高掺半导体层、中间层以及N型高掺半导体层，所述P型高掺半导体层与所述N型高掺半导体层作为形成隧穿结的本...
该专利属于厦门乾照光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照光电股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。