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本申请涉及一种集成电路有源封装结构及其制造方法，所述有源封装结构包括：再布线层，位于芯粒与PCB板之间，用于实现不同芯粒之间的互连以及不同芯粒与PCB板之间的互联，所述再布线层形成有TFT器件。本申请利用TFT器件制备温度较低的特点，在再布...
该专利属于北京信息科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京信息科技大学授权不得商用。

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