【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉集成电路，尤其涉及一种集成电路有源封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、在后摩尔时代，先进工艺节点的设计费用与流片费用都越来越高。为了能够更好的对电路ip进行复用，以及为了突破计算单元和存储单元之间的“存储墙”，出现了chiplet设计理念。chiplet设计理念将集成电路按照功能、工艺节点等进行拆分，利用先进封装技术进行异质异构集成，如此一来可以降低设计难度和周期，缩小先进工艺节点的芯片面积，从而提升良率，降低成本。
2、然而，现有的封装技术方案难以在封装结构中实现有源封装结构，或者即使能够实现有源封装结构但成本较为昂贵。
技术实现思路
1、本申请实施例解决的技术问题是提供一种集成电路有源封装结构及其制造方法，实现集成电路的低成本有源封装。
2、为解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供一种集成电路有源封装结构，其特征在于，包括：再布线层，位于芯粒与pcb板之间，用于实现不同芯粒之间的互连以及不同芯粒与pcb板之间的互联，所述再布线层形成有tft器件
3、本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路有源封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述再布线层形成有基于所述TFT器件的TFT开关和/或TFT电路，其中，
3.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述TFT器件为顶栅、背栅或双栅结构。
4.如权利要求1-3任一权利要求所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述有源封装结构为基于中介层的2.5D封装结构，进一步包括：
5.如权利要求4所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述中介层为硅中介层、RDL中介层、或桥接中介层
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【技术特征摘要】
1.一种集成电路有源封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述再布线层形成有基于所述tft器件的tft开关和/或tft电路，其中，
3.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述tft器件为顶栅、背栅或双栅结构。
4.如权利要求1-3任一权利要求所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述有源封装结构为基于中介层的2.5d封装结构，进一步包括：
5.如权利要求4所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述中介层为硅中介层、rdl中介层、或桥接中介层。
6.如权利要求5所述的集成电路有源封装结构，其特...
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