【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉集成电路，尤其涉及一种集成电路有源封装结构及其制造方法。
技术介绍
1、在后摩尔时代，先进工艺节点的设计费用与流片费用都越来越高。为了能够更好的对电路ip进行复用，以及为了突破计算单元和存储单元之间的“存储墙”，出现了chiplet设计理念。chiplet设计理念将集成电路按照功能、工艺节点等进行拆分，利用先进封装技术进行异质异构集成，如此一来可以降低设计难度和周期，缩小先进工艺节点的芯片面积，从而提升良率，降低成本。
2、然而，现有的封装技术方案难以在封装结构中实现有源封装结构，或者即使能够实现有源封装结构但成本较为昂贵。
技术实现思路
1、本申请实施例解决的技术问题是提供一种集成电路有源封装结构及其制造方法，实现集成电路的低成本有源封装。
2、为解决上述问题，第一方面，本申请实施例提供一种集成电路有源封装结构，其特征在于，包括：再布线层，位于芯粒与pcb板之间，用于实现不同芯粒之间的互连以及不同芯粒与pcb板之间的互联，所述再布线层形成有tft器件。
3、可选的，所述再布线层形成有基于所述tft器件的tft开关和/或tft电路，其中，所述tft开关用于实现对供电网络的调控，利用tft晶体管关态电流远小于硅晶体管，降低所述供电网络中需要关掉部分的电路功耗；所述tft电路包括：电源管理电路、时钟电路、路由电路、中继器电路、接口控制电路、电流传感电路、温度传感电路。
4、可选的，所述tft器件为顶栅、背栅或双栅结构。>
5、可选的，所述有源封装结构为基于中介层的2.5d封装结构，包括：中介层，包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面，其中，第一表面的一侧设置有多个芯粒，第二表面通过焊接工艺固定到pcb板；再布线层，设置在所述第一表面和/或所述第二表面；以及tft器件，形成在所述再布线层。
6、可选的，所述中介层为硅中介层、rdl中介层、或桥接中介层。
7、可选的，所述中介层为硅中介层，所述硅中介层上形成有硅通孔，所述tft器件设置在所述硅通孔的附近，并且与所述再布线层连接。
8、可选的，所述有源封装结构为基于层叠型有源rdl层扇出的封装结构，包括：多个再布线层，所述多个再布线层层叠设置；以及tft器件，位于相邻的所述再布线层之间。
9、可选的，层叠设置的所述多个再布线层之间填充有聚酰亚胺或苯并环丁烯树脂材料。
10、第二方面，本申请实施例还提供一种集成电路有源封装结构的制造方法，包括以下步骤：提供基底，所述基底包括芯粒以及与所述芯粒连接的互连层或再布线层；在所述互连层和/或所述再布线层制备tft器件；以及在所述tft器件表面形成互连层或再布线层。
11、可选的，所述在所述互连层和/或所述再布线层制备tft器件的步骤中，进一步包括：制备基于所述tft器件的tft开关和/或tft电路。
12、与现有技术相比，本申请实施例的技术方案具有以下优点：
13、本申请利用tft器件制备温度较低的特点，在再布线层设置tft开关或者tft电路，从而实现有源再布线层，并且本申请更易于实现，且成本更低，不会显著增加封装成本。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种集成电路有源封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述再布线层形成有基于所述TFT器件的TFT开关和/或TFT电路，其中，
3.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述TFT器件为顶栅、背栅或双栅结构。
4.如权利要求1-3任一权利要求所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述有源封装结构为基于中介层的2.5D封装结构，进一步包括：
5.如权利要求4所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述中介层为硅中介层、RDL中介层、或桥接中介层。
6.如权利要求5所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述中介层为硅中介层，所述硅中介层上形成有硅通孔，所述TFT器件设置在所述硅通孔的附近，并且与所述再布线层连接。
7.如权利要求1-3任一权利要求所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述有源封装结构为基于层叠型有源RDL层扇出的封装结构，包括：
8.如权利要求7所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，层叠设置的所述多个
9.一种集成电路有源封装结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.如权利要求9所述的集成电路有源封装结构的制造方法，其特征在于，所述在所述互连层和/或所述再布线层制备TFT器件的步骤中，进一步包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路有源封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：
2.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述再布线层形成有基于所述tft器件的tft开关和/或tft电路，其中，
3.如权利要求1所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述tft器件为顶栅、背栅或双栅结构。
4.如权利要求1-3任一权利要求所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述有源封装结构为基于中介层的2.5d封装结构，进一步包括：
5.如权利要求4所述的集成电路有源封装结构，其特征在于，所述中介层为硅中介层、rdl中介层、或桥接中介层。
6.如权利要求5所述的集成电路有源封装结构，其特...
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