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本发明涉及光掩模技术领域，尤其涉及一种相移光掩模空白板及其制作方法、光掩模板及其制作方法，其中该相移光掩模空白板为三层结构，从下至上依次为透明基板层、图形材料层和光阻层，所述图形材料层包括主图形材料层和辅助图形材料层。所述主图形材料层为硅化...
该专利属于兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过兴华芯（绍兴）半导体科技有限公司授权不得商用。

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