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本发明提出了一种具有自旋极化电子层的半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、电子阻挡层和上限制层，上波导层与电子阻挡层以及下波导层与下限制层之间均设置有自旋极化电子层。本发明增强激光元件的自旋极化率...
该专利属于安徽格恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽格恩半导体有限公司授权不得商用。

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