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本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备,其中,编程校验方法包括步骤:在存储单元编程结束后,对存储单元的衬底端施加正向电压;基于编程校验电压对存储单元进行编程校验;该编程校验方法通过在编程结束和编程校...该专利属于上海芯存天下电子科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海芯存天下电子科技有限公司授权不得商用。
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本发明涉及存储芯片技术领域,具体公开了一种编程校验方法、装置、存储芯片及电子设备,其中,编程校验方法包括步骤:在存储单元编程结束后,对存储单元的衬底端施加正向电压;基于编程校验电压对存储单元进行编程校验;该编程校验方法通过在编程结束和编程校...