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本发明涉及一种半导体电化学金蚀刻液及其蚀刻方法。利用无机酸、金属盐、卤化物、表面活性剂、去污剂、消泡剂等组成电化学金蚀刻液，将半导体晶圆阳极、阴极浸没在电化学金蚀刻液中，在恒定电流密度下进行电化学的单质金蚀刻。通过调整电化学金蚀刻液的成分、...
该专利属于湖北兴福电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湖北兴福电子材料股份有限公司授权不得商用。

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