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本发明涉及一种检测重掺硼缺陷的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：重掺硼单晶硅棒线切后硅片按照每50枚中抽1枚组成先行片。第二步：对先行片进行双面研磨一次倒角和单面研磨进行二次倒角。第三步：二次倒角后进行碱腐蚀。第四步：先...
该专利属于杭州中欣晶圆半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州中欣晶圆半导体股份有限公司授权不得商用。

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