检测重掺硼缺陷的方法技术

本发明专利技术涉及一种检测重掺硼缺陷的方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：重掺硼单晶硅棒线切后硅片按照每50枚中抽1枚组成先行片。第二步：对先行片进行双面研磨一次倒角和单面研磨进行二次倒角。第三步：二次倒角后进行碱腐蚀。第四步：先行片放入有HCL和H2O2混合液的清洗槽内进行清洗。第五步：清洗完成烘干后用荧光灯检查硅片表面缺陷。第六步：检测合格的先行片进行双面抛光。第七步：抛光后使用槽式洗净机清洗。第八步：进行单面抛光。第九步：单面抛光后的硅片再次回到碱腐蚀。第十步：清洗完成烘干后用荧光灯检查硅片表面缺陷。排除机械加工带来的划伤影响，提高检测的准确度，避免现有重掺硼缺陷检测方法检测误判的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片加工，具体涉及一种检测重掺硼缺陷的方法。

技术介绍

1、重掺硼直拉硅单晶是一种重要的硅材料,具有电阻率分布均匀,吸杂能力强和机械性能较好等优点,被广泛用于集成电路衬底材料及分立器件领域.通常会在重掺衬底上外延一层薄层材料,形成p/p+的结构,当集成电路工艺缩小到亚微米,深亚微米级别时,与工艺线宽接近的微缺陷都会对器件的良品率和电性能产生影响。

2、重掺硼单晶掺杂浓度高,晶格畸变大,在晶体生长过程中很容易产生位错和小角晶界,特别是杂质浓度高于7×1019cm-3时,它们以一定的形态集中分布在晶体截面的某个位置。

3、目前对于300mm重掺硼单晶硅片缺陷的检测采用择优腐蚀后在荧光灯下目视样片的面状态，这种方法对于缺陷密度大，相对集中的样片可以检出，但是对于位错排、小角晶界和滑移线这类缺陷很难检出，这类缺陷在宏观上都会被误认为是线切割后的划伤。

技术实现思路

1、本专利技术主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种检测重掺硼缺陷的方法，解决重掺硼单晶硅片对于线缺陷，如位错排、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检测重掺硼缺陷的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的检测重掺硼缺陷的方法，其特征在于：重掺硼单晶硅棒的电阻率小于0.003Ω .cm。

3.根据权利要求1所述的检测重掺硼缺陷的方法，其特征在于：碱腐蚀过程，KOH溶液温度控制在75±5℃，循坏流量控制在10～15L/min，先行片腐蚀10um。

4.根据权利要求1所述的检测重掺硼缺陷的方法，其特征在于：双面抛光使用抛光布去除先行片14.5um厚度。

【技术特征摘要】

1.一种检测重掺硼缺陷的方法，其特征在于包括如下操作步骤：

2.根据权利要求1所述的检测重掺硼缺陷的方法，其特征在于：重掺硼单晶硅棒的电阻率小于0.003ω .cm。

3.根据权利要求1所述的检测重掺硼缺陷的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：楼刚刚，
申请(专利权)人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：