温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种基于p型Ga2O3的MOSFET器件，主要解决现有氧化镓器件难以制备同质结、异质结器件性能较差、缺乏p型Ga2O3材料的问题。其自下而上包括：源电极S、衬底层，漂移层、p型氧化镓层、二氧化硅层、漏电极D、栅电极G，其中，衬底...
该专利属于山东省工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过山东省工业技术研究院授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。