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本技术涉及一种半导体装置。所述半导体装置包括半导体基底及形成于所述半导体基底上的第一层间介质层、多个接触插塞以及至少一个通孔测试结构，其中，所述通孔测试结构包括与第一金属垫电连接的至少一个第一测试通孔，所述通孔测试结构与所述半导体基底上方的...
该专利属于芯恩（青岛）集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯恩（青岛）集成电路有限公司授权不得商用。

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